Очерки по истории компьютерной науки и техники в Украине

Юрист семейное право бесплатная консультация Новокузнецк. Юридические услуги.

Очерки по истории компьютерной науки и техники в Украине - стр. 239


движению основных носителей заряда.
 
Внесение примесей в кристаллы германия или кремния позволяет создать
полупроводниковые материалы с желаемыми электрическими свойствами.
Например, введение незначительного количества фосфора порождает
свободные электроны, и полупроводник приобретает проводимость п-типа.
Добавление атомов бора, наоборот, создает дырки, и материал становится
полупроводником р-типа.
 
Таким образом оказалось, что полупроводник, в который введены примеси,
обретает свойство пропускать электрический ток, т.е. обладает
проводимостью, величина которой может при определенном воздействии
изменяется в широких приделах.
 
Когда в США был найден способ для осуществления такого воздействия
электрическим путем, появился транзистор (от первоначального названия
трансрезистор).
 
Однако фундаментальные явления, на которых основана работа транзистора
и других полупроводниковых приборов и интегральных схем, как сказано
выше, были обнаружены Лашкаревым ранее. Применив для исследования
электронного строения слоя закиси меди термозонд - нагретый стержень,
приводимый в соприкосновение с полупроводником, он установил, что по
обе стороны слоя с повышенным сопротивлением - запорного слоя,
расположенного параллельно границе раздела медь - закись меди, знаки
носителей тока различны. Впоследствии это явление и получило название
р-п перехода. Им же "был раскрыт механизм инжекции - важнейшего
явления на основе которого действуют полупроводниковые диоды и
транзисторы". (Н. Н. Боголюбов и др. "Памяти Вадима Евгеньевича
Лашкарева" Успехи физических наук. Т. 1 17, вып.2, с.377, 378.
1975г.).
 
В 1950 г. В. Е. Лашкаревым и В. И. Ляшенко были опубликованы
пионерские исследования поверхностных явлений в полупроводниках,
открывшие новую страницу физики полупроводников (см.статью
"Электронные состояния на поверхности полупроводника". Юбил. сборн. к
70 летию акад. А. Ф. Иоффе, с.536. 1950 г.). Они лежат в основе работы



Начало  Назад  Вперед



Книжный магазин